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flag Os pesquisadores descobrem o impacto da direção do spin injetado na passagem do material quiral, com implicações para dispositivos spintrônicos com eficiência energética.

flag Pesquisadores da NC State University e da University of Pittsburgh descobriram que a direção do spin injetado em materiais quirais afeta significativamente sua capacidade de passagem. flag Isso poderia levar a dispositivos spintrônicos com eficiência energética para armazenamento de dados, comunicação e computação. flag Dispositivos spintrônicos usam spin de elétrons em vez de carga para criar corrente e transferir informações, reduzindo o consumo de energia.

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