A Toshiba conclui a instalação de fabricação de wafer de 300 mm para semicondutores de potência no Japão, marcando a Fase 1 de um programa de investimento plurianual. Toshiba completes 300-mm wafer fabrication facility for power semiconductors in Japan, marking Phase 1 of a multi-year investment program.

A Toshiba concluiu uma nova instalação de fabricação de wafer de 300 mm para semicondutores de potência na Kaga Toshiba Electronics Corporation, no Japão. Toshiba has completed a new 300-mm wafer fabrication facility for power semiconductors at Kaga Toshiba Electronics Corporation in Japan. Este marco marca o início da Fase 1 do programa plurianual de investimentos da Toshiba. This milestone marks the start of Phase 1 of Toshiba's multi-year investment program. A instalação possui uma estrutura de isolamento sísmico, fontes de energia redundantes e será alimentada por energia renovável. The facility features a seismic isolation structure, redundant power sources, and will be powered by renewable energy. A produção em massa deverá começar no segundo semestre do ano fiscal de 2024, aumentando a capacidade de produção de semicondutores de potência da Toshiba em 2,5 vezes em comparação com o ano fiscal de 2021. Mass production is expected to begin in the second half of fiscal year 2024, increasing Toshiba's power semiconductor production capacity by 2.5 times compared to fiscal 2021.