Shin-Etsu Chemical para desenvolver substrato GaN de 300 mm para melhorar o desempenho do semicondutor. Shin-Etsu Chemical to develop 300-mm GaN substrate for enhanced semiconductor performance.

Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. está definido para desenvolver um substrato QSTTM projetado para aplicações de nitreto de gálio (GaN) de 300 mm. Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. is set to develop a QST™ substrate designed for 300-mm gallium nitride (GaN) applications. Esta inovação visa melhorar o desempenho e a eficiência dos dispositivos semicondutores, refletindo o compromisso da empresa com o avanço da tecnologia no setor de semicondutores. This innovation aims to enhance the performance and efficiency of semiconductor devices, reflecting the company's commitment to advancing technology in the semiconductor sector.

September 05, 2024

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