Shin-Etsu Chemical para desenvolver substrato GaN de 300 mm para melhorar o desempenho do semicondutor. Shin-Etsu Chemical to develop 300-mm GaN substrate for enhanced semiconductor performance.

Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. está definido para desenvolver um substrato QSTTM projetado para aplicações de nitreto de gálio (GaN) de 300 mm. Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. is set to develop a QST™ substrate designed for 300-mm gallium nitride (GaN) applications. Esta inovação visa melhorar o desempenho e a eficiência dos dispositivos semicondutores, refletindo o compromisso da empresa com o avanço da tecnologia no setor de semicondutores. This innovation aims to enhance the performance and efficiency of semiconductor devices, reflecting the company's commitment to advancing technology in the semiconductor sector.