STMicroelectronics lança tecnologia de 4a geração SiC MOSFET para inversores de tração EV, visando eficiência de energia, densidade e robustez.
A STMicroelectronics lançou sua tecnologia MOSFET de carboneto de silício (SiC) de quarta geração, destinada a melhorar a eficiência de energia, densidade e robustez para inversores de tração de veículos elétricos (EV). A classe 750V é qualificada, com 1200V esperados para o primeiro trimestre de 2025. A tecnologia também suporta aplicações industriais de alta potência, melhorando o desempenho e reduzindo o peso em EVs. A ST planeja novas inovações até 2027 para impulsionar a adoção em massa da mobilidade elétrica e da sustentabilidade.
September 24, 2024
6 Artigos