STMicroelectronics lança tecnologia de 4a geração SiC MOSFET para inversores de tração EV, visando eficiência de energia, densidade e robustez. STMicroelectronics launches 4th-gen SiC MOSFET tech for EV traction inverters, targeting power efficiency, density, and robustness.

A STMicroelectronics lançou sua tecnologia MOSFET de carboneto de silício (SiC) de quarta geração, destinada a melhorar a eficiência de energia, densidade e robustez para inversores de tração de veículos elétricos (EV). STMicroelectronics has launched its fourth-generation silicon carbide (SiC) MOSFET technology, aimed at improving power efficiency, density, and robustness for electric vehicle (EV) traction inverters. A classe 750V é qualificada, com 1200V esperados para o primeiro trimestre de 2025. The 750V class is qualified, with 1200V expected by Q1 2025. A tecnologia também suporta aplicações industriais de alta potência, melhorando o desempenho e reduzindo o peso em EVs. The technology also supports high-power industrial applications, enhancing performance and reducing weight in EVs. A ST planeja novas inovações até 2027 para impulsionar a adoção em massa da mobilidade elétrica e da sustentabilidade. ST plans further innovations through 2027 to drive mass adoption of electric mobility and sustainability.