Os pesquisadores descobrem monopolos OAM em semi-metais topológicos quirais, permitindo dispositivos de memória energeticamente eficientes em orbitrônica.

Pesquisadores do Instituto Paul Scherrer descobriram monopolos de momento angular orbital (OAM) em semi-metais topológicos quirais, uma nova classe de materiais. Estes materiais, caracterizados por uma estrutura atômica helicoidal, podem gerar eficientemente correntes OAM, abrindo caminho para dispositivos de memória energeticamente eficientes no campo emergente da orbitrônica. Este avanço é promissor para reduzir o impacto ambiental da eletrônica tradicional.

September 27, 2024
4 Artigos

Leitura adicional