Raytheon, um empreiteiro da DARPA, está desenvolvendo semicondutores ultra-wide bandgap para melhorar os sistemas de radar e comunicação em aplicações militares.
Raytheon, uma subsidiária da RTX, recebeu um contrato de três anos da DARPA para desenvolver semicondutores ultra-wide bandgap usando diamante e nitreto de alumínio. Este projeto visa melhorar a entrega de energia e gerenciamento térmico para sensores e dispositivos eletrônicos. Ele inclui duas fases: primeiro, a criação de filmes semicondutores, e segundo, otimizando-os para wafers maiores. O objetivo é melhorar os sistemas de radar e comunicação para aplicações militares avançadas.
October 02, 2024
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