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Raytheon, um empreiteiro da DARPA, está desenvolvendo semicondutores ultra-wide bandgap para melhorar os sistemas de radar e comunicação em aplicações militares.
Raytheon, uma subsidiária da RTX, recebeu um contrato de três anos da DARPA para desenvolver semicondutores ultra-wide bandgap usando diamante e nitreto de alumínio.
Este projeto visa melhorar a entrega de energia e gerenciamento térmico para sensores e dispositivos eletrônicos.
Ele inclui duas fases: primeiro, a criação de filmes semicondutores, e segundo, otimizando-os para wafers maiores.
O objetivo é melhorar os sistemas de radar e comunicação para aplicações militares avançadas.
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Raytheon, a DARPA contractor, is developing ultra-wide bandgap semiconductors for improved radar and communication systems in military applications.