A ROHM e a TSMC fazem parceria para desenvolver dispositivos de energia GaN para veículos elétricos, alavancando a fabricação avançada. ROHM and TSMC partner to develop GaN power devices for electric vehicles, leveraging advanced manufacturing.

A ROHM e a TSMC formaram uma parceria para desenvolver dispositivos de energia de nitreto de gálio (GaN) para veículos elétricos. ROHM and TSMC have formed a partnership to develop gallium nitride (GaN) power devices for electric vehicles. GaN oferece melhores propriedades de alta tensão e alta frequência do que o silício, que é fundamental para componentes EV, como carregadores e inversores. GaN offers better high-voltage and high-frequency properties than silicon, which is key for EV components like chargers and inverters. Esta colaboração combina a tecnologia de dispositivos da ROHM com o processo de fabricação GaN da TSMC, com o objetivo de impulsionar a adoção da GaN no setor automotivo. This collaboration combines ROHM's device technology with TSMC's GaN manufacturing process, aiming to boost GaN's adoption in the automotive sector.