A Universidade de Michigan lidera um projeto de US $ 7,5 milhões para desenvolver semicondutores avançados de carboneto de silício resistentes ao calor. University of Michigan leads a $7.5 million project to develop advanced heat-resistant silicon carbide semiconductors.

A Universidade de Michigan lidera um projeto de US $ 7,5 milhões para desenvolver semicondutores de carboneto de silício resistente ao calor (SiC), com financiamento inicial de US $ 2,4 milhões. The University of Michigan leads a $7.5 million project to develop heat-resistant silicon carbide (SiC) semiconductors, with initial funding of $2.4 million. A iniciativa visa ampliar a tecnologia da NASA, tornando o design de chips SiC mais acessível e avançando aplicações em aeroespacial, defesa, energia renovável e veículos elétricos. The initiative aims to scale up NASA's technology, making SiC chip design more accessible and advancing applications in aerospace, defense, renewable energy, and electric vehicles. Os principais parceiros incluem a NASA, GE Aerospace, Ozark Integrated Circuits e Wolfspeed. Key partners include NASA, GE Aerospace, Ozark Integrated Circuits, and Wolfspeed.