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Cientistas chineses revelam a memória flash mais rápida do mundo, "PoX", armazenando dados em 400 picosegundos.
Cientistas chineses criaram a memória flash mais rápida do mundo, chamada "PoX", que pode armazenar um bit de dados em apenas 400 picosegundos.
Esta memória não volátil supera as tecnologias voláteis atuais e estabelece um novo recorde.
Desenvolvido por pesquisadores da Universidade Fudan usando tecnologia inovadora de grafeno e otimização de IA, o dispositivo poderia melhorar significativamente a operação de grandes modelos de IA e remodelar a tecnologia de armazenamento globalmente.
As descobertas foram publicadas na Nature.
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Chinese scientists unveil world's fastest flash memory, "PoX," storing data in 400 picoseconds.