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flag Cientistas chineses revelam a memória flash mais rápida do mundo, "PoX", armazenando dados em 400 picosegundos.

flag Cientistas chineses criaram a memória flash mais rápida do mundo, chamada "PoX", que pode armazenar um bit de dados em apenas 400 picosegundos. flag Esta memória não volátil supera as tecnologias voláteis atuais e estabelece um novo recorde. flag Desenvolvido por pesquisadores da Universidade Fudan usando tecnologia inovadora de grafeno e otimização de IA, o dispositivo poderia melhorar significativamente a operação de grandes modelos de IA e remodelar a tecnologia de armazenamento globalmente. flag As descobertas foram publicadas na Nature.

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