Pesquisadores na China revelam o PoX, uma tecnologia de memória flash 10.000 vezes mais rápida do que as opções atuais. Researchers in China unveil PoX, a flash memory tech 10,000 times faster than current options.

Pesquisadores da Universidade Fudan, na China, criaram uma nova tecnologia de memória flash chamada PoX, que pode armazenar dados a uma velocidade sem precedentes de um bit por 400 picosegundos. Researchers at Fudan University in China have created a new flash memory technology called PoX, which can store data at an unprecedented speed of one bit per 400 picoseconds. Esta memória não volátil, capaz de reter dados sem energia, é cerca de 10.000 vezes mais rápida do que a memória flash atual e supera significativamente os tipos de memória voláteis tradicionais, como SRAM e DRAM. This non-volatile memory, capable of retaining data without power, is about 10,000 times faster than current flash memory and significantly outperforms traditional volatile memory types like SRAM and DRAM. A inovação poderia potencialmente revolucionar as soluções de armazenamento em sistemas de IA e eletrônicos de consumo, oferecendo operação mais rápida e menor consumo de energia. The innovation could potentially revolutionize storage solutions in AI systems and consumer electronics, offering faster operation and lower power consumption.