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flag A Toshiba lança MOSFETs SiC compactos e eficientes 650V, aumentando a densidade de potência para usos industriais.

flag A Toshiba introduziu quatro novos MOSFETs de carboneto de silício (SiC) 650V em um pacote compacto DFN8x8, reduzindo o volume do dispositivo em mais de 90% em comparação com modelos mais antigos. flag Estes MOSFETs, adequados para usos industriais, como fontes de alimentação e geradores fotovoltaicos, reduzem significativamente as perdas de comutação e melhoram a densidade de energia. flag A Toshiba visa aumentar a eficiência do equipamento e a capacidade de energia com esses avanços.

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