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A Toshiba lança MOSFETs SiC compactos e eficientes 650V, aumentando a densidade de potência para usos industriais.
A Toshiba introduziu quatro novos MOSFETs de carboneto de silício (SiC) 650V em um pacote compacto DFN8x8, reduzindo o volume do dispositivo em mais de 90% em comparação com modelos mais antigos.
Estes MOSFETs, adequados para usos industriais, como fontes de alimentação e geradores fotovoltaicos, reduzem significativamente as perdas de comutação e melhoram a densidade de energia.
A Toshiba visa aumentar a eficiência do equipamento e a capacidade de energia com esses avanços.
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Toshiba launches compact, efficient 650V SiC MOSFETs, boosting power density for industrial uses.