Cientistas chineses criaram um chip ultra-eficiente usando um material ferroelétrico de 1 nm, permitindo processamento rápido e de baixa potência de IA em dispositivos. Chinese scientists created a ultra-efficient chip using a 1-nm ferroelectric material, enabling fast, low-power AI processing on devices.

Cientistas chineses da Universidade de Pequim desenvolveram um chip de computação em memória de alto desempenho usando um novo material ferroelétrico, criando filmes ultrafinos e uniformes com apenas 1 nanômetro de espessura que mantêm fortes propriedades de memória. Chinese scientists at Peking University have developed a high-performance computing-in-memory chip using a novel ferroelectric material, creating ultrathin, uniform films just 1 nanometer thick that maintain strong memory properties. O dispositivo opera a 0,8 volts, escreve dados em 20 nanossegundos e sobrevive a mais de 1,5 trilhão de ciclos de reescrita – superando os padrões atuais. The device operates at 0.8 volts, writes data in 20 nanoseconds, and survives over 1.5 trillion rewrite cycles—exceeding current standards. Ao integrar memória e processamento em uma unidade, reduz o uso de energia e acelera a computação, com compatibilidade para a fabricação de semicondutores existente. By integrating memory and processing in one unit, it reduces energy use and speeds up computation, with compatibility for existing semiconductor manufacturing. O avanço, publicado na Science, poderia permitir um poderoso processamento de IA em dispositivos cotidianos, como smartphones e aparelhos, reduzindo a dependência da computação em nuvem. The breakthrough, published in Science, could enable powerful AI processing on everyday devices like smartphones and appliances, cutting reliance on cloud computing.